NTE2380 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2380 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 40W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2380 за ціною від 348.03 грн до 578.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2380 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTE2380 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220 |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| NTE2380 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|