Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE2392
NTE2392

NTE2392 NTE Electronics, Inc

nte2392.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2543.00 грн
10+2326.22 грн
20+2203.63 грн
50+1953.68 грн
100+1907.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2392 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTE2392

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2392 NTE2392 Виробник : NTE Electronics, Inc. nte2392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.