
NTE2397 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 462.37 грн |
10+ | 423.02 грн |
20+ | 400.79 грн |
50+ | 355.27 грн |
100+ | 346.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2397 NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTE2397 за ціною від 346.38 грн до 567.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2397 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2397 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2397 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |