
NTE2913 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 352.40 грн |
3+ | 294.27 грн |
4+ | 274.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2913 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 80A, Pulsed drain current: 390A, Power dissipation: 200W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2913 за ціною від 298.87 грн до 422.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2913 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|