NTE2973 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1203.28 грн |
| 10+ | 1100.94 грн |
| 20+ | 1043.16 грн |
| 50+ | 924.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2973 NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 275W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTE2973 за ціною від 1071.33 грн до 1413.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTE2973 | Виробник : NTE Electronics |
NTE2973 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2973 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
Trans MOSFET N-CH 900V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|