NTE2980 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2980 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 4.9A, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 25W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2980
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2980 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |