NTE2988 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 1A; 315mW; TO52
Case: TO52
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 315mW
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2988 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 1A; 315mW; TO52, Case: TO52, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.2A, On-state resistance: 7.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 315mW, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±15V, Pulsed drain current: 1A, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2988
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTE2988 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 1A; 315mW; TO52 Case: TO52 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 315mW Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 1A Mounting: THT |
товар відсутній |