NTE2995 NTE Electronics
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 399.41 грн |
3+ | 278.85 грн |
8+ | 263.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2995 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 5.7A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 115W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.65Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2995 за ціною від 316.35 грн до 479.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE2995 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 115W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|