NTE2999

NTE2999 NTE Electronics


nte2999.pdf Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±35V
On-state resistance: 0.73Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2999 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 50W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±35V, On-state resistance: 0.73Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції NTE2999

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTE2999 NTE2999 Виробник : NTE Electronics nte2999.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±35V
On-state resistance: 0.73Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній