NTE3311 NTE Electronics, Inc.
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 319.52 грн |
| 10+ | 311.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE3311 NTE Electronics, Inc.
Description: IGBT-600V 15AMP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції NTE3311 за ціною від 770.31 грн до 1003.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE3311 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
 Description: IGBT-600V 15AMPPackaging: Bag Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 400ns/500ns Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTE3311 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| NTE3311 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 25A; 150W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Turn-on time: 0.4µs Turn-off time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| NTE3311 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 25A; 150W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Turn-on time: 0.4µs Turn-off time: 0.5µs |
товар відсутній |