Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE386
NTE386

NTE386 NTE Electronics, Inc

nte386.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 500V 20A TO3
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1594.64 грн
10+1458.76 грн
20+1381.94 грн
50+1224.81 грн
100+1195.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE386 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 500V 20A TO3, Power - Max: 175 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6.7A, 20A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag.

Інші пропозиції NTE386

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTE386 NTE386 NTE ELECTRONICS 240258.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE386 NTE386 NTE Electronics, Inc. nte386.pdf Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE386 240258.pdf
NTE386
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE386 nte386.pdf
NTE386
Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 500V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.