Продукція > ONSEMI > NTE4151PT1G
NTE4151PT1G

NTE4151PT1G onsemi

nta4151p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.45 грн
6000+6.58 грн
9000+6.28 грн
15000+5.57 грн
21000+5.38 грн
30000+5.19 грн
75000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE4151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 313mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції NTE4151PT1G за ціною від 4.86 грн до 31.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.35 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi NTA4151P-D.PDF MOSFETs -20V -760mA P-Channel
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.14 грн
36+9.08 грн
100+5.92 грн
1000+5.85 грн
3000+5.43 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 81932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
18+17.64 грн
100+11.90 грн
500+8.65 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.82 грн
50+20.48 грн
100+11.35 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.35 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTA4151P-D.PDF
NTE4151PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -760mA P-Channel
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+14.14 грн
36+9.08 грн
100+5.92 грн
1000+5.85 грн
3000+5.43 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 81932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
18+17.64 грн
100+11.90 грн
500+8.65 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 313mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+31.82 грн
50+20.48 грн
100+11.35 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.