Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTE4151PT1G
NTE4151PT1G

NTE4151PT1G ON Semiconductor

nta4151p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE4151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTE4151PT1G за ціною від 3.41 грн до 27.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.68 грн
74+5.39 грн
81+4.91 грн
97+4.12 грн
102+3.89 грн
250+3.69 грн
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.73 грн
6000+6.83 грн
9000+6.51 грн
15000+5.78 грн
21000+5.58 грн
30000+5.39 грн
75000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A1B183D144745&compId=NTA4153N.PDF?ci_sign=01a5609438402e6bd1124b75d4f75378f43335a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Polarisation: unipolar
Case: SC89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 313mW
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.21 грн
45+6.71 грн
49+5.89 грн
58+4.94 грн
100+4.67 грн
250+4.43 грн
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.89 грн
107+8.01 грн
500+7.21 грн
1500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.75 грн
87+9.89 грн
107+8.01 грн
500+7.21 грн
1500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : onsemi NTA4151P-D.PDF MOSFETs -20V -760mA P-Channel
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.26 грн
36+9.79 грн
100+6.39 грн
1000+6.31 грн
3000+5.85 грн
6000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 81932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.96 грн
18+18.29 грн
100+12.35 грн
500+8.98 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4151PT1G NTE4151PT1G Виробник : ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.