NTE4153NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.64 грн |
| 6000+ | 4.97 грн |
| 9000+ | 4.73 грн |
| 15000+ | 4.18 грн |
| 21000+ | 4.03 грн |
| 30000+ | 3.89 грн |
| 75000+ | 3.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE4153NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.
Інші пропозиції NTE4153NT1G за ціною від 5.46 грн до 33.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE4153NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 113013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTE4153NT1G | onsemi |
MOSFETs 20V 915mA N-Channel |
на замовлення 35162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
NTE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 38918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 38918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.01 грн |
| 6000+ | 5.96 грн |
| 9000+ | 5.91 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.03 грн |
| 6000+ | 5.98 грн |
| 9000+ | 5.92 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.12 грн |
| 33000+ | 7.42 грн |
| 66000+ | 6.90 грн |
| 99000+ | 6.28 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1285+ | 10.94 грн |
| 1312+ | 10.71 грн |
| 1327+ | 10.59 грн |
| 1649+ | 8.22 грн |
| 3000+ | 5.88 грн |
| 6000+ | 5.59 грн |
| 15000+ | 5.46 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 113013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.78 грн |
| 22+ | 13.56 грн |
| 100+ | 9.12 грн |
| 500+ | 6.60 грн |
| 1000+ | 5.94 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.06 грн |
| 32+ | 23.76 грн |
| 49+ | 15.52 грн |
| 100+ | 10.55 грн |
| 250+ | 9.57 грн |
| 500+ | 9.08 грн |
| 1000+ | 7.31 грн |
| 3000+ | 5.64 грн |
| 6000+ | 5.59 грн |
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
на замовлення 35162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 38918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTE4153NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 38918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)