Продукція > ONSEMI > NTE4153NT1G
NTE4153NT1G

NTE4153NT1G onsemi

nta4153n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.81 грн
6000+5.12 грн
9000+4.87 грн
15000+4.31 грн
21000+4.15 грн
30000+4.00 грн
75000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE4153NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

Інші пропозиції NTE4153NT1G за ціною від 3.95 грн до 30.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.76 грн
500+8.09 грн
1500+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 113013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
22+13.97 грн
100+9.40 грн
500+6.80 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G NTE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
на замовлення 35162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.60 грн
21+15.89 грн
100+7.89 грн
500+7.47 грн
1000+6.06 грн
3000+4.16 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.26 грн
51+16.36 грн
100+11.76 грн
500+8.09 грн
1500+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G 1900865.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.76 грн
500+8.09 грн
1500+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 113013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
22+13.97 грн
100+9.40 грн
500+6.80 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G nta4153n-d.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 915mA N-Channel
на замовлення 35162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.60 грн
21+15.89 грн
100+7.89 грн
500+7.47 грн
1000+6.06 грн
3000+4.16 грн
6000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE4153NT1G 1900865.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+30.26 грн
51+16.36 грн
100+11.76 грн
500+8.09 грн
1500+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.