NTE4153NT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE4153NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTE4153NT1G за ціною від 3.90 грн до 33.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTE4153NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTE4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 55183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V |
на замовлення 113013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTE4153NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V 915mA N-Channel |
на замовлення 38040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 55183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NTE4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
NTE4153NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTE4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |