
NTE519 NTE Electronics, Inc

Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 47.75 грн |
20+ | 43.68 грн |
30+ | 41.38 грн |
40+ | 36.68 грн |
50+ | 35.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE519 NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35, Packaging: Bag, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 8 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: 200°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.
Інші пропозиції NTE519 за ціною від 32.80 грн до 70.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE519 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 2A; DO41; Ufmax: 1V; 8ns Type of diode: rectifying Power dissipation: 440/500mW Case: DO41 Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA Max. forward impulse current: 2A Load current: 0.3A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 100V Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 8ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE519 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 2A; DO41; Ufmax: 1V; 8ns Type of diode: rectifying Power dissipation: 440/500mW Case: DO41 Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA Max. forward impulse current: 2A Load current: 0.3A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 100V Capacitance: 4pF Reverse recovery time: 8ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE519 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |