NTE5804 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 51.74 грн |
| 20+ | 47.33 грн |
| 30+ | 44.84 грн |
| 40+ | 39.74 грн |
| 50+ | 38.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE5804 NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27, Packaging: Bag, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-27, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V.
Інші пропозиції NTE5804
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTE5804 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V Type of diode: rectifying Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 0.5mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| NTE5804 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V Type of diode: rectifying Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 0.5mA |
товар відсутній |