NTE5806 NTE Electronics
Виробник: NTE Electronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V
Case: DO27
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.79 грн |
| 9+ | 50.47 грн |
| 10+ | 45.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE5806 NTE Electronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27, Packaging: Bag, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-27, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NTE5806 за ціною від 50.66 грн до 67.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE5806 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27 Packaging: Bag Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V |
на замовлення 3267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|