
NTE5806 NTE Electronics

Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V
Case: DO27
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Leakage current: 0.5mA
Type of diode: rectifying
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 55.94 грн |
10+ | 49.05 грн |
20+ | 45.98 грн |
55+ | 43.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE5806 NTE Electronics
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27, Packaging: Bag, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-27, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NTE5806 за ціною від 51.28 грн до 80.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE5806 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 600 V |
на замовлення 3267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE5806 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V Case: DO27 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.2V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 0.5mA Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|