Технічний опис NTE5812 NTE Electronics, Inc
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; Ufmax: 1V; Ir: 1mA, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 6A, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 1mA, Capacitance: 150pF, Type of diode: rectifying, Max. forward impulse current: 0.4kA, Max. forward voltage: 1V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE5812
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE5812 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; Ufmax: 1V; Ir: 1mA Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1mA Capacitance: 150pF Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 0.4kA Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTE5812 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; Ufmax: 1V; Ir: 1mA Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1mA Capacitance: 150pF Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 0.4kA Max. forward voltage: 1V |
товар відсутній |