
NTE5817HC NTE Electronics, Inc

Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A AXIAL
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 9652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.41 грн |
10+ | 276.65 грн |
20+ | 262.09 грн |
50+ | 232.29 грн |
100+ | 226.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE5817HC NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A AXIAL, Packaging: Bag, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції NTE5817HC
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE5817HC | Виробник : NTE ELECTRONICS |
![]() Bauform - Diode: Through Hole Durchlassstoßstrom: 400 Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 760 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |