Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE645
NTE645

NTE645 NTE Electronics, Inc

nte644_45.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: R-DUAL CMN ANODE 600V 16A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+275.70 грн
10+252.03 грн
20+239.32 грн
50+211.96 грн
100+207.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE645 NTE Electronics, Inc

Description: R-DUAL CMN ANODE 600V 16A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bag.