NTE648 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Bag
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 35.19 грн |
| 40+ | 32.16 грн |
| 60+ | 30.50 грн |
| 80+ | 27.00 грн |
| 100+ | 26.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE648 NTE Electronics, Inc
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-201AD, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-201AD, Axial, Packaging: Bag.
Інші пропозиції NTE648
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTE648 | NTE Electronics, Inc. |
Schottky Barrier Silicon Rectifier Low Voltage, High Frequency DO-201AD Type Package |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTE648 |
|
Виробник: NTE Electronics, Inc.
Schottky Barrier Silicon Rectifier Low Voltage, High Frequency DO-201AD Type Package
Schottky Barrier Silicon Rectifier Low Voltage, High Frequency DO-201AD Type Package
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)