Продукція > EVVO > NTF2955T1G-EV
NTF2955T1G-EV

NTF2955T1G-EV EVVO


5272_NTF2955T1G-EV.pdf
Виробник: EVVO
Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.40 грн
10+64.56 грн
100+43.04 грн
500+31.73 грн
1000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF2955T1G-EV EVVO

Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-223-3L, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 10.4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTF2955T1G-EV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTF2955T1G-EV NTF2955T1G-EV Виробник : EVVO 5272_NTF2955T1G-EV.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.