NTF2955T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 34.92 грн |
| 2000+ | 32.37 грн |
| 3000+ | 32.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF2955T1G onsemi
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTF2955T1G за ціною від 29.08 грн до 121.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTF2955T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V 2.6A P-Channel |
на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTF2955T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTF2955T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - MOSFET, P-KANAL, 60V, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 37728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |