Продукція > ONSEMI > NTF2955T1G
NTF2955T1G

NTF2955T1G onsemi

ntf2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+34.92 грн
2000+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF2955T1G onsemi

Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTF2955T1G за ціною від 28.79 грн до 121.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.86 грн
5+96.39 грн
10+73.87 грн
20+64.48 грн
50+53.76 грн
100+47.12 грн
200+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
на замовлення 23402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+72.40 грн
100+43.91 грн
500+36.52 грн
1000+31.13 грн
2000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G ONSEMI ntf2955-d.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.20 грн
11+77.96 грн
50+67.09 грн
200+52.13 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 13851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.49 грн
100+49.92 грн
500+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+111.86 грн
5+96.39 грн
10+73.87 грн
20+64.48 грн
50+53.76 грн
100+47.12 грн
200+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
на замовлення 23402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.20 грн
10+72.40 грн
100+43.91 грн
500+36.52 грн
1000+31.13 грн
2000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.20 грн
11+77.96 грн
50+67.09 грн
200+52.13 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
NTF2955T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 13851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.93 грн
10+74.49 грн
100+49.92 грн
500+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G ntf2955-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.