Продукція > ONSEMI > NTF2955T1G
NTF2955T1G

NTF2955T1G onsemi

ntf2955-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.49 грн
2000+31.05 грн
3000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF2955T1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTF2955T1G за ціною від 30.09 грн до 125.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : onsemi NTF2955_D-2318911.pdf MOSFETs -60V 2.6A P-Channel
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+76.47 грн
100+49.10 грн
500+39.12 грн
1000+33.83 грн
2000+31.34 грн
5000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+66.13 грн
24+38.61 грн
65+36.47 грн
500+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.91 грн
10+73.09 грн
100+48.93 грн
500+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.47 грн
10+82.41 грн
24+46.33 грн
65+43.76 грн
500+43.21 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G Виробник : ONS ntf2955-d.pdf Транз. Пол. ММ P-Channel MOSFET SOT-223 Udss=60V; Id=1,7 A; Pdmax=1 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G Виробник : ON-Semicoductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G Виробник : ONSEMI 1916829.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - MOSFET, P-KANAL, 60V, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 41610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.02 грн
11+81.42 грн
50+77.47 грн
200+54.58 грн
500+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.