NTF2955T1G ON Semiconductor
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 34.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF2955T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTF2955T1G за ціною від 30.09 грн до 125.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTF2955T1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V 2.6A P-Channel |
на замовлення 9790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V |
на замовлення 3889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 35181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTF2955T1G | Виробник : ONS |
Транз. Пол. ММ P-Channel MOSFET SOT-223 Udss=60V; Id=1,7 A; Pdmax=1 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTF2955T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTF2955T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |