NTF3055-100T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 31.32 грн |
| 2000+ | 27.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF3055-100T1G onsemi
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTF3055-100T1G за ціною від 25.45 грн до 123.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2102 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | onsemi |
MOSFETs 60V 3A N-Channel |
на замовлення 10472 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTF3055-100T1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 40.75 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 40.75 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.72 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.73 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 97.82 грн |
| 500+ | 68.90 грн |
| 1000+ | 66.11 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 102.21 грн |
| 10+ | 53.40 грн |
| 50+ | 45.56 грн |
| 100+ | 42.25 грн |
| 200+ | 39.04 грн |
| 500+ | 33.34 грн |
| 1000+ | 29.55 грн |
| 2000+ | 26.00 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.38 грн |
| 10+ | 69.45 грн |
| 50+ | 51.98 грн |
| 100+ | 43.50 грн |
| 500+ | 34.21 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.12 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3A N-Channel
MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 10472 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.72 грн |
| 10+ | 57.78 грн |
| 100+ | 44.83 грн |
| 500+ | 35.25 грн |
| 1000+ | 29.03 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.45 грн |






