NTF3055-100T1G ON Semiconductor
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 27.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF3055-100T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTF3055-100T1G за ціною від 24.43 грн до 100.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTF3055-100T1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF3055-100T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 962 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF3055-100T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF3055-100T1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 3A N-Channel |
на замовлення 5844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTF3055-100T1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTF3055-100T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |