NTF3055-100T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.89 грн |
| 2000+ | 25.52 грн |
| 3000+ | 24.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF3055-100T1G onsemi
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTF3055-100T1G за ціною від 25.23 грн до 96.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTF3055-100T1G | onsemi |
MOSFETs 60V 3A N-Channel |
на замовлення 5844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTF3055-100T1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.02 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 31.83 грн |
| 2000+ | 31.51 грн |
| 4000+ | 30.84 грн |
| 6000+ | 28.85 грн |
| 10000+ | 26.22 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 36.80 грн |
| 2000+ | 34.65 грн |
| 5000+ | 32.96 грн |
| 10000+ | 31.05 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 40.62 грн |
| 2000+ | 38.24 грн |
| 5000+ | 36.37 грн |
| 10000+ | 34.27 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.83 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 46.96 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.19 грн |
| 10+ | 58.74 грн |
| 100+ | 39.02 грн |
| 500+ | 28.67 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3A N-Channel
MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.23 грн |





