Продукція > ONSEMI > NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G

NTF3055L108T1G onsemi

ntf3055l108-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.76 грн
2000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF3055L108T1G onsemi

Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції NTF3055L108T1G за ціною від 22.34 грн до 90.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.00 грн
2000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.12 грн
2000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.89 грн
3000+34.61 грн
5000+33.70 грн
8000+31.47 грн
10000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ONSEMI NTF3055L108.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.20 грн
11+40.44 грн
50+34.34 грн
100+32.37 грн
200+30.31 грн
250+29.57 грн
500+26.52 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+67.58 грн
210+66.91 грн
304+46.22 грн
307+44.13 грн
500+33.55 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.58 грн
12+67.58 грн
25+66.91 грн
100+44.57 грн
250+40.86 грн
500+32.21 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 120125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.63 грн
100+36.06 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ONSEMI ntf3055l108-d.pdf Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ONSEMI 2140530.pdf Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.00 грн
2000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.12 грн
2000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.93 грн
2000+29.21 грн
5000+26.10 грн
10000+24.92 грн
25000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+37.89 грн
3000+34.61 грн
5000+33.70 грн
8000+31.47 грн
10000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108.PDF
NTF3055L108T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.20 грн
11+40.44 грн
50+34.34 грн
100+32.37 грн
200+30.31 грн
250+29.57 грн
500+26.52 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+67.58 грн
210+66.91 грн
304+46.22 грн
307+44.13 грн
500+33.55 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.58 грн
12+67.58 грн
25+66.91 грн
100+44.57 грн
250+40.86 грн
500+32.21 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 120125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.63 грн
100+36.06 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G 2140530.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.