NTF3055L108T1G ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 19.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF3055L108T1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTF3055L108T1G за ціною від 17.12 грн до 69.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 24624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2.1W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 24624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi | MOSFET 60V 3A N-Channel |
на замовлення 80760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 10571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTF3055L108T1G************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |