Продукція > ONSEMI > NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G

NTF3055L108T1G onsemi

ntf3055l108-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+25.07 грн
2000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF3055L108T1G onsemi

Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTF3055L108T1G за ціною від 22.28 грн до 99.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ONSEMI NTF3055L108.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.46 грн
11+41.27 грн
50+35.05 грн
100+33.03 грн
200+30.93 грн
250+30.17 грн
500+27.06 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.98 грн
10+54.52 грн
100+31.84 грн
500+24.86 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 40595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+55.30 грн
100+36.51 грн
500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G ONSEMI 2140530.pdf Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.39 грн
13+62.73 грн
50+52.14 грн
200+38.58 грн
500+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G NTF3055L108.PDF
NTF3055L108T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+62.46 грн
11+41.27 грн
50+35.05 грн
100+33.03 грн
200+30.93 грн
250+30.17 грн
500+27.06 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+54.52 грн
100+31.84 грн
500+24.86 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 40595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.12 грн
10+55.30 грн
100+36.51 грн
500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G 2140530.pdf
NTF3055L108T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+99.39 грн
13+62.73 грн
50+52.14 грн
200+38.58 грн
500+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.