NTF5P03T3G

NTF5P03T3G ON Semiconductor


ntf5p03t3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF5P03T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.13W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTF5P03T3G за ціною від 26.41 грн до 116.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTF5P03T3G NTF5P03T3G Виробник : onsemi ntf5p03t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.98 грн
8000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G NTF5P03T3G Виробник : onsemi ntf5p03t3-d.pdf MOSFETs 30V 5.2A P-Channel
на замовлення 35769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
10+52.71 грн
100+35.02 грн
500+30.53 грн
1000+28.84 грн
2000+27.96 грн
4000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G NTF5P03T3G Виробник : ONSEMI 2160712.pdf Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3.13W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.55 грн
500+42.84 грн
1000+29.57 грн
4000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G NTF5P03T3G Виробник : ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.31 грн
12+75.02 грн
100+54.55 грн
500+42.84 грн
1000+29.57 грн
4000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G NTF5P03T3G Виробник : onsemi ntf5p03t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.98 грн
10+71.27 грн
100+47.46 грн
500+34.96 грн
1000+31.87 грн
2000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G Виробник : ONSEMI ntf5p03t3-d.pdf NTF5P03T3G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.