NTF5P03T3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF5P03T3G onsemi
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTF5P03T3G за ціною від 17.76 грн до 74.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTF5P03T3G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTF5P03T3G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTF5P03T3G | onsemi |
MOSFETs 30V 5.2A P-Channel |
на замовлення 17908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NTF5P03T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 22.23 грн |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.53 грн |
| 32+ | 24.13 грн |
| 100+ | 22.88 грн |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 35.08 грн |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 677+ | 51.89 грн |
| 1000+ | 47.85 грн |
| 10000+ | 42.66 грн |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.66 грн |
| 10+ | 44.99 грн |
| 100+ | 29.53 грн |
| 500+ | 21.47 грн |
| 1000+ | 19.45 грн |
| 2000+ | 17.76 грн |
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 5.2A P-Channel
MOSFETs 30V 5.2A P-Channel
на замовлення 17908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





