NTF5P03T3G ON Semiconductor
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 19.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF5P03T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTF5P03T3G за ціною від 19.37 грн до 81.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 5.2A P-Channel |
на замовлення 17908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
NTF5P03T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |