NTF6P02T3G onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 21.71 грн | 
| 8000+ | 19.30 грн | 
| 12000+ | 18.65 грн | 
| 20000+ | 17.41 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF6P02T3G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V. 
Інші пропозиції NTF6P02T3G за ціною від 19.73 грн до 76.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 
             | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V  | 
        
                             на замовлення 278827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : onsemi | 
            
                         MOSFETs -20V -6A P-Channel         | 
        
                             на замовлення 111919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||||||||
| NTF6P02T3G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; 20V; 10A; 8.3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 8.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: 8V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench®  | 
        
                             на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||||||||||||
| NTF6P02T3G************ | 
                             на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||||||||||
| NTF6P02T3G | Виробник : ON | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||||||||
                      | 
        NTF6P02T3G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 20V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

