на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 41.78 грн |
| 10+ | 35.59 грн |
| 25+ | 33.41 грн |
| 100+ | 25.59 грн |
| 250+ | 23.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGD1100LT1G onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 8V, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 0.43W, Case: TSOP6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTGD1100LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTGD1100LT1G | Виробник : ON |
 08+ DIP |
на замовлення 399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
2009 SC-74 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
NTGD1100LT1G Код товару: 187236 |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: TSOP-6 Примітка: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift |
товар відсутній
|
|||
 |
NTGD1100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R |
товар відсутній |
|
| NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
NTGD1100LT1G | Виробник : onsemi |
Description: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP |
товар відсутній |
|
 |
NTGD1100LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift |
товар відсутній |
|
| NTGD1100LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |