Продукція > ONSEMI > NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G onsemi


ntgd3133p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
987+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD3133PT1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 560mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTGD3133PT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTGD3133PT1G ON ntgd3133p-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3133PT1G ntgd3133p-d.pdf
Виробник: ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.