Продукція > ONSEMI > NTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G onsemi

ntgd3148n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.07 грн
6000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD3148NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTGD3148NT1G за ціною від 14.71 грн до 59.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ON Semiconductor ntgd3148nd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+30.38 грн
1000+23.05 грн
3000+22.67 грн
6000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G onsemi ntgd3148n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.22 грн
100+22.78 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G onsemi ntgd3148n-d.pdf MOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ntgd3148nd.pdf
NTGD3148NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
467+30.38 грн
1000+23.05 грн
3000+22.67 грн
6000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ntgd3148n-d.pdf
NTGD3148NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.02 грн
10+35.22 грн
100+22.78 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ntgd3148n-d.pdf
NTGD3148NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.