Продукція > NO > NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G NO


ntgd4161p-d.pdf Виробник: NO
10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4161PT1G NO

Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції NTGD4161PT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGD4161PT1G Виробник : ON ntgd4161p-d.pdf 09+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4161p-d.pdf
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G NTGD4161PT1G Виробник : onsemi ntgd4161p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G NTGD4161PT1G Виробник : onsemi NTGD4161P_D-2318759.pdf MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.