Продукція > NO > NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G NO


ntgd4161p-d.pdf
Виробник: NO
10+ SOT23-6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4161PT1G NO

Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 600mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.

Інші пропозиції NTGD4161PT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTGD4161PT1G NTGD4161PT1G onsemi ntgd4161p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 600mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G NTGD4161PT1G onsemi NTGD4161P_D-2318759.pdf MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G ntgd4161p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 600mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4161PT1G NTGD4161P_D-2318759.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.