NTGD4167CT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.62 грн |
| 6000+ | 13.85 грн |
| 9000+ | 13.24 грн |
| 15000+ | 11.79 грн |
| 21000+ | 11.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGD4167CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 11.27 грн до 79.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTGD4167CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 1140306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTGD4167CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 |
на замовлення 15593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTGD4167CT1G | Виробник : On Semiconductor |
TSOP-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |