Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G ON Semiconductor

ntgd4167c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4167CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 16.97 грн до 80.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.02 грн
6000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.11 грн
6000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+24.11 грн
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+47.48 грн
421+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.31 грн
15+52.65 грн
25+47.48 грн
100+32.36 грн
250+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G onsemi MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.02 грн
6000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.11 грн
6000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
586+24.11 грн
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+47.48 грн
421+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ntgd4167c-d.pdf
NTGD4167CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.31 грн
15+52.65 грн
25+47.48 грн
100+32.36 грн
250+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD4167CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD4167CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.