Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G ON Semiconductor

ntgd4167c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+14.26 грн
896+13.53 грн
905+13.39 грн
914+12.79 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4167CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 11.75 грн до 76.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1157750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
676+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 676
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+18.34 грн
41+17.19 грн
46+15.28 грн
100+13.97 грн
250+12.81 грн
500+12.18 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.88 грн
6000+18.38 грн
9000+17.69 грн
12000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.38 грн
500+19.37 грн
1500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.85 грн
50+38.88 грн
100+24.38 грн
500+19.37 грн
1500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi NTGD4167C-D.PDF MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 23269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.09 грн
10+37.04 грн
100+19.97 грн
500+16.76 грн
1000+14.46 грн
3000+12.85 грн
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1162346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.15 грн
10+37.94 грн
100+24.38 грн
500+19.01 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.