Продукція > ONSEMI > NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G onsemi

ntgd4167c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1157750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4167CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 12.60 грн до 75.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
786+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 786
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
679+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 679
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+19.48 грн
42+16.69 грн
100+15.33 грн
250+14.04 грн
500+13.33 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.94 грн
6000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.96 грн
500+19.57 грн
1500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.68 грн
50+35.30 грн
100+23.96 грн
500+19.57 грн
1500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 28209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.18 грн
10+39.48 грн
100+21.73 грн
500+17.88 грн
1000+15.32 грн
3000+13.58 грн
6000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1162346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.10 грн
10+37.42 грн
100+24.05 грн
500+18.75 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.