Продукція > ONSEMI > NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G onsemi

ntgd4167c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.77 грн
6000+13.98 грн
9000+13.37 грн
15000+11.90 грн
21000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4167CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 11.37 грн до 79.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.59 грн
6000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.77 грн
6000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
586+22.20 грн
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.93 грн
500+21.22 грн
1500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+43.72 грн
421+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1140306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.76 грн
10+38.79 грн
100+25.29 грн
500+18.26 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : onsemi ntgd4167c-d.pdf MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.91 грн
10+35.92 грн
100+19.38 грн
500+16.15 грн
1000+14.88 грн
3000+11.72 грн
6000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.37 грн
50+40.54 грн
100+27.93 грн
500+21.22 грн
1500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4167c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.23 грн
15+51.94 грн
25+46.85 грн
100+31.93 грн
250+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4167CT1G Виробник : ONSEMI ntgd4167c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.