| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.75 грн |
| 6000+ | 15.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGD4167CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NTGD4167CT1G за ціною від 17.01 грн до 80.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP |
на замовлення 735497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTGD4167CT1G | onsemi |
MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 |
на замовлення 15593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NTGD4167CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.86 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.86 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.07 грн |
| 6000+ | 18.22 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.15 грн |
| 6000+ | 18.30 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 586+ | 24.17 грн |
| 3000+ | 18.58 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 298+ | 47.59 грн |
| 421+ | 33.63 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
на замовлення 735497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.11 грн |
| 10+ | 43.78 грн |
| 50+ | 32.20 грн |
| 100+ | 26.71 грн |
| 500+ | 20.55 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.49 грн |
| 15+ | 52.76 грн |
| 25+ | 47.59 грн |
| 100+ | 32.43 грн |
| 250+ | 17.01 грн |
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
MOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





