Продукція > ONSEMI > NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G onsemi

ntgd4169f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1902+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGD4169FT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTGD4169FT1G за ціною від 12.84 грн до 13.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G Виробник : ON Semiconductor ntgd4169f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 44907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2328+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2328
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G ntgd4169f-d.pdf
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGD4169FT1G NTGD4169FT1G Виробник : onsemi ntgd4169f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.