Продукція > ONSEMI > NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G onsemi


NTGS3130N_D-2318621.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.62 грн
10+57.93 грн
100+34.91 грн
500+29.20 грн
1000+24.85 грн
3000+22.45 грн
6000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS3130NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 5.6, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung: 1.1, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції NTGS3130NT1G за ціною від 26.75 грн до 91.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G onsemi ntgs3130n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.85 грн
10+55.51 грн
100+36.63 грн
500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1G ntgs3130n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.85 грн
10+55.51 грн
100+36.63 грн
500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.