| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.48 грн |
| 10+ | 54.39 грн |
| 100+ | 32.77 грн |
| 500+ | 27.42 грн |
| 1000+ | 23.33 грн |
| 3000+ | 21.07 грн |
| 6000+ | 19.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGS3130NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NTGS3130NT1G за ціною від 26.79 грн до 91.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTGS3130NT1G | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTGS3130NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTGS3130NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.98 грн |
| 10+ | 55.59 грн |
| 100+ | 36.68 грн |
| 500+ | 26.79 грн |
| NTGS3130NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)