Продукція > ONSEMI > NTGS3433T1G

NTGS3433T1G onsemi

Name: NTGS3433T1G
Brand: onsemi
SKU: 5183612-4
Price: 363.06000000000006 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFET -12V -3.3A P-Channel

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 350-359 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	40.34 грн
10+	35.79 грн
100+	25.45 грн
500+	21.48 грн
1000+	18.61 грн
3000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTGS3433T1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTGS3433T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTGS3433T1G			на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.35A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -14A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTGS3433T1G	Виробник : ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.35A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -14A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.