NTGS3441T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.94 грн |
6000+ | 14.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGS3441T1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V.
Інші пропозиції NTGS3441T1G за ціною від 10.96 грн до 45.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3441T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : onsemi | MOSFET 20V 1A P-Channel |
на замовлення 8458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V |
на замовлення 14618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.35A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTGS3441T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.35A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |