Продукція > ONSEMI > NTGS3443T1G
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G onsemi

ntgs3443t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.87 грн
6000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS3443T1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTGS3443T1G за ціною від 12.49 грн до 58.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTGS3443T1G NTGS3443T1G onsemi ntgs3443t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 35131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.66 грн
10+34.79 грн
100+22.47 грн
500+16.09 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G NTGS3443T1G onsemi NTGS3443T1_D-2318565.pdf MOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G NTGS3443T1G ONSEMI 1748760.pdf Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G NTGS3443T1G ONSEMI ONSMS25636-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G ON-Semiconductor ntgs3443t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G ntgs3443t1-d.pdf
NTGS3443T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 35131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.66 грн
10+34.79 грн
100+22.47 грн
500+16.09 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G NTGS3443T1_D-2318565.pdf
NTGS3443T1G
Виробник: onsemi
MOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G 1748760.pdf
NTGS3443T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G ONSMS25636-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTGS3443T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3443T1G ntgs3443t1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.