Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTGS3443T1G
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G ON Semiconductor

ntgs3443t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS3443T1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTGS3443T1G за ціною від 8.93 грн до 39.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : onsemi ntgs3443t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.48 грн
6000+ 10.49 грн
9000+ 9.74 грн
30000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : onsemi ntgs3443t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
на замовлення 53672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.77 грн
10+ 28.02 грн
100+ 19.48 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : onsemi NTGS3443T1_D-2318565.pdf MOSFET 20V 2A P-Channel
на замовлення 43119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.37 грн
10+ 33.08 грн
100+ 21.52 грн
500+ 16.94 грн
1000+ 13.09 грн
3000+ 11.89 грн
6000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : ONSEMI 1748760.pdf Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTGS3443T1G Виробник : ON-Semicoductor ntgs3443t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : ONSEMI NTGS3443.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : ON Semiconductor ntgs3443t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : ON Semiconductor ntgs3443t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
NTGS3443T1G NTGS3443T1G Виробник : ONSEMI NTGS3443.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній