Продукція > ONSEMI > NTGS3446T1G
NTGS3446T1G

NTGS3446T1G onsemi

ntgs3446-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.40 грн
6000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS3446T1G onsemi

Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTGS3446T1G за ціною від 13.05 грн до 52.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ON Semiconductor ntgs3446-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1840+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 1840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ON Semiconductor ntgs3446-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.57 грн
6000+21.25 грн
9000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ON Semiconductor ntgs3446-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ON Semiconductor ntgs3446-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.80 грн
23+33.84 грн
100+26.82 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G onsemi ntgs3446-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.34 грн
10+31.35 грн
100+20.24 грн
500+14.50 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G onsemi NTGS3446-D.PDF MOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ON Semiconductor ntgs3446-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G ONSEMI 716749.pdf Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1840+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 1840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.57 грн
6000+21.25 грн
9000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.80 грн
23+33.84 грн
100+26.82 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.34 грн
10+31.35 грн
100+20.24 грн
500+14.50 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446-D.PDF
NTGS3446T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ONSM-S-A0013300807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGS3446T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G 716749.pdf
NTGS3446T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.