Продукція > ONSEMI > NTGS3446T1G

NTGS3446T1G onsemi


ntgs3446-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.77 грн
6000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS3446T1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTGS3446T1G за ціною від 11.91 грн до 53.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTGS3446T1G NTGS3446T1G onsemi NTGS3446-D.PDF MOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.29 грн
12+29.10 грн
100+18.25 грн
500+14.45 грн
1000+13.53 грн
3000+12.05 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446T1G onsemi ntgs3446-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.92 грн
10+32.30 грн
100+20.85 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G NTGS3446-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 5.1A N-Channel
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+40.29 грн
12+29.10 грн
100+18.25 грн
500+14.45 грн
1000+13.53 грн
3000+12.05 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3446T1G ntgs3446-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.92 грн
10+32.30 грн
100+20.85 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.