Продукція > ONSEMI > NTGS4111PT1G

NTGS4111PT1G onsemi


ntgs4111p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.20 грн
6000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTGS4111PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTGS4111PT1G за ціною від 14.84 грн до 60.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G onsemi ntgs4111p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 16015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+35.51 грн
100+22.96 грн
500+16.47 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G onsemi ntgs4111p-d.pdf MOSFETs -30V -4.7A P-Channel
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.11 грн
10+36.23 грн
100+21.43 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 16015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.47 грн
10+35.51 грн
100+22.96 грн
500+16.47 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS4111PT1G ntgs4111p-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V -4.7A P-Channel
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.11 грн
10+36.23 грн
100+21.43 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.