
NTGS4141NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.28 грн |
6000+ | 9.58 грн |
9000+ | 9.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGS4141NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTGS4141NT1G за ціною від 8.91 грн до 48.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V |
на замовлення 9599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 55122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 59064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |