на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTGS5120PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTGS5120PT1G за ціною від 9.86 грн до 58.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTGS5120PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V |
на замовлення 24460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTGS5120PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm |
на замовлення 60341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTGS5120PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 2.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTGS5120PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V |
на замовлення 24797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTGS5120PT1G | Виробник : ON |
SOT-163 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTGS5120PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |