Продукція > ONSEMI > NTH027N65S3F-F155
NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155 ONSEMI


nth027n65s3f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1255.50 грн
5+1192.36 грн
10+1128.41 грн
50+963.62 грн
100+871.46 грн
250+854.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH027N65S3F-F155 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTH027N65S3F-F155 за ціною від 946.46 грн до 2143.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 Виробник : onsemi nth027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1642.31 грн
30+1012.18 грн
120+946.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 Виробник : ON Semiconductor nth027n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1800.71 грн
10+1520.39 грн
120+1406.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 Виробник : ON Semiconductor nth027n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+2143.21 грн
10+1679.11 грн
120+1541.74 грн
510+1457.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 Виробник : ON Semiconductor nth027n65s3f-d.pdf
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 Виробник : ON Semiconductor nth027n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F_F155 NTH027N65S3F_F155 Виробник : ON Semiconductor nth027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 Виробник : onsemi nth027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 Виробник : ONSEMI nth027n65s3f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.