
NTH027N65S3F-F155 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 951.73 грн |
5+ | 936.91 грн |
10+ | 922.09 грн |
50+ | 842.47 грн |
100+ | 764.96 грн |
250+ | 752.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH027N65S3F-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTH027N65S3F-F155 за ціною від 994.99 грн до 1873.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
NTH027N65S3F_F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |