Продукція > ONSEMI > NTH4L013N120M3S
NTH4L013N120M3S

NTH4L013N120M3S onsemi

nth4l013n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2287.78 грн
10+1790.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L013N120M3S onsemi

Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 682W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L013N120M3S за ціною від 1660.86 грн до 2735.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L013N120M3S NTH4L013N120M3S Виробник : onsemi BFDE0E3CADEC954C075CBA04F8C8134F588EB8A75CF906A34494539FFF449A06.pdf SiC MOSFETs DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2444.30 грн
10+2120.26 грн
120+1660.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S NTH4L013N120M3S Виробник : ONSEMI 4332478.pdf Description: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2735.74 грн
5+2572.50 грн
10+2409.26 грн
50+2118.92 грн
100+1846.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l013n120m3s-d.pdf Discrete SiC M3S 1200V 13mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S Виробник : ONSEMI nth4l013n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 254nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 340W
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 505A
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.