NTH4L013N120M3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2297.64 грн |
| 10+ | 1797.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L013N120M3S onsemi
Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 682W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L013N120M3S за ціною від 1582.32 грн до 2747.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L013N120M3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET ? EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L013N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L013N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 682W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Discrete SiC M3S 1200V 13mohm |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W Mounting: THT Case: TO247-4 On-state resistance: 29mΩ Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 254nC Power dissipation: 340W Drain current: 107A Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 505A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTH4L013N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W Mounting: THT Case: TO247-4 On-state resistance: 29mΩ Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 254nC Power dissipation: 340W Drain current: 107A Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 505A Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |