Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4L014N120M3P
NTH4L014N120M3P

NTH4L014N120M3P ON Semiconductor

nth4l014n120m3p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+1543.42 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L014N120M3P ON Semiconductor

Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V, Power Dissipation (Max): 686W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L014N120M3P за ціною від 1290.57 грн до 2384.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L014N120M3P NTH4L014N120M3P Виробник : onsemi nth4l014n120m3p-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2139.55 грн
10+1509.40 грн
450+1290.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P NTH4L014N120M3P Виробник : onsemi NTH4L014N120M3P_D-3150583.pdf MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2384.31 грн
10+2088.04 грн
25+1694.03 грн
50+1642.00 грн
100+1589.20 грн
250+1482.85 грн
450+1362.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P Виробник : ONSEMI nth4l014n120m3p-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P Виробник : ONSEMI nth4l014n120m3p-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 407A; 343W
Mounting: THT
Case: TO247-4
On-state resistance: 29mΩ
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 322nC
Power dissipation: 343W
Drain current: 107A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 407A
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.