Технічний опис NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції NTH4L015N065SC1 за ціною від 1115.29 грн до 2170.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTH4L015N065SC1 | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTH4L015N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTH4L015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 7704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 11049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1794.69 грн |
| 30+ | 1209.88 грн |
| 120+ | 1115.29 грн |
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1804.10 грн |
| 5+ | 1591.14 грн |
| 10+ | 1377.38 грн |
| 50+ | 1253.63 грн |
| 100+ | 1133.09 грн |
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2080.54 грн |
| 10+ | 1493.95 грн |
| 120+ | 1179.93 грн |
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2170.56 грн |
| NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 2170.56 грн |





