NTH4L015N065SC1 onsemi
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1898.56 грн |
| 10+ | 1500.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L015N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTH4L015N065SC1 за ціною від 1186.14 грн до 3438.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L015N065SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTH4L015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTH4L015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTH4L015N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTH4L015N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Pulsed drain current: 483A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 283nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |