Продукція > ONSEMI > NTH4L015N065SC1
NTH4L015N065SC1

NTH4L015N065SC1 ONSEMI

NTH4L015N065SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1624.36 грн
5+1584.02 грн
10+1542.86 грн
50+1395.19 грн
100+1252.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L015N065SC1 ONSEMI

Description: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4L015N065SC1 за ціною від 1228.67 грн до 3163.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 5424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1625.10 грн
30+1277.44 грн
120+1228.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1747.56 грн
10+1691.37 грн
30+1263.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2417.92 грн
10+2109.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2937.82 грн
10+2349.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3163.80 грн
10+2530.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L015N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L015N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.