Технічний опис NTH4L020N120SC1 ON Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 510W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L020N120SC1 за ціною від 1543.74 грн до 2971.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L020N120SC1 | onsemi |
 SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 510W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V |
на замовлення 29824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NTH4L020N120SC1 | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2135.19 грн |
| 10+ | 1865.46 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 2272.68 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 29824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2427.01 грн |
| 30+ | 1547.58 грн |
| 120+ | 1543.74 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2472.23 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2481.71 грн |
| 30+ | 2347.82 грн |
| 120+ | 2169.61 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 2481.71 грн |
| 30+ | 2347.82 грн |
| 120+ | 2169.61 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 2971.31 грн |
| NTH4L020N120SC1 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)