на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1356.97 грн |
| 10+ | 1229.87 грн |
| 25+ | 1024.95 грн |
| 100+ | 868.85 грн |
| 250+ | 841.61 грн |
| 450+ | 787.15 грн |
| 900+ | 726.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L022N120M3S onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L022N120M3S за ціною від 1322.52 грн до 2115.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTH4L022N120M3S | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 352W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube |
товар відсутній |