Продукція > ONSEMI > NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S onsemi

nth4l022n120m3s-d.pdf Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1171.15 грн
10+919.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L022N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4L022N120M3S за ціною від 767.14 грн до 2216.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : onsemi nth4l022n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 64665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1313.69 грн
10+1007.30 грн
30+931.90 грн
120+811.43 грн
270+784.42 грн
510+767.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : ONSEMI NTH4L022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.72 грн
5+1261.34 грн
10+1136.12 грн
50+1019.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1635.98 грн
10+1385.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2058.49 грн
10+1558.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2216.84 грн
10+1678.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S Виробник : ONSEMI nth4l022n120m3s-d.pdf NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.