Продукція > ONSEMI > NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S onsemi

nth4l022n120m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1413.22 грн
30+854.21 грн
120+743.26 грн
510+671.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L022N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 352W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції NTH4L022N120M3S за ціною від 1730.22 грн до 2569.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2042.32 грн
10+1730.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2569.78 грн
10+1945.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ON Semiconductor nth4l022n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2569.78 грн
10+1945.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S onsemi nth4l022n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ONSEMI nth4l022n120m3s-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
NTH4L022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2042.32 грн
10+1730.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
NTH4L022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2569.78 грн
10+1945.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
NTH4L022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2569.78 грн
10+1945.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
NTH4L022N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S nth4l022n120m3s-d.pdf
NTH4L022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.