| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 819.01 грн |
| 10+ | 560.09 грн |
| 100+ | 405.27 грн |
| 450+ | 404.57 грн |
| 900+ | 386.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L023N065M3S onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTH4L023N065M3S за ціною від 342.11 грн до 841.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L023N065M3S | onsemi |
 Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3SPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTH4L023N065M3S | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTH4L023N065M3S |
|
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 841.30 грн |
| 10+ | 562.13 грн |
| 450+ | 365.73 грн |
| 900+ | 342.11 грн |
| NTH4L023N065M3S |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)