Продукція > ONSEMI > NTH4L023N065M3S
NTH4L023N065M3S

NTH4L023N065M3S onsemi

nth4l023n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 46329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.98 грн
10+558.65 грн
450+387.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L023N065M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTH4L023N065M3S за ціною від 433.47 грн до 919.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L023N065M3S NTH4L023N065M3S Виробник : onsemi nth4l023n065m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.16 грн
10+628.58 грн
100+454.83 грн
450+454.04 грн
900+433.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L023N065M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l023n065m3s-d.pdf SiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L023N065M3S Виробник : ONSEMI nth4l023n065m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 225A; 122W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 122W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 225A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.