Продукція > ONSEMI > NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1 onsemi

nth4l025n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1322.74 грн
10+971.94 грн
120+827.95 грн
510+801.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L025N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTH4L025N065SC1 за ціною від 1017.83 грн до 1473.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 onsemi nth4l025n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.10 грн
10+1017.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 ONN nth4l025n065sc1-d.pdf
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
NTH4L025N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1473.10 грн
10+1017.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.