Продукція > ONSEMI > NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1 onsemi

nth4l025n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1416.72 грн
10+1012.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L025N065SC1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTH4L025N065SC1 за ціною від 869.90 грн до 1709.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 Виробник : onsemi nth4l025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247?4L
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1476.74 грн
10+1096.23 грн
30+936.87 грн
120+934.64 грн
270+911.57 грн
510+869.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1709.24 грн
10+1562.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf SiC MOS TO247-4L 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.