NTH4L025N065SC1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1376.60 грн |
| 10+ | 950.87 грн |
| 450+ | 756.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L025N065SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTH4L025N065SC1 за ціною від 813.43 грн до 2091.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L025N065SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L025N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L025N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTH4L025N065SC1 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |