Продукція > ONSEMI > NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1 onsemi


nth4l025n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1436.65 грн
10+1026.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L025N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4L025N065SC1 за ціною від 878.36 грн до 1976.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1512.72 грн
5+1329.02 грн
10+1144.48 грн
50+1061.95 грн
100+960.67 грн
250+941.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 Виробник : onsemi nth4l025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1514.24 грн
10+1110.78 грн
120+878.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1976.96 грн
10+1807.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l025n065sc1-d.pdf SiC MOS TO247-4L 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L025N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l025n065sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.