Продукція > ONSEMI > NTH4L030N120M3S
NTH4L030N120M3S

NTH4L030N120M3S onsemi

NTH4L030N120M3S-D.PDF
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+814.86 грн
10+526.77 грн
120+451.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L030N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L030N120M3S за ціною від 400.33 грн до 943.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTH4L030N120M3S NTH4L030N120M3S onsemi nth4l030n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.84 грн
30+551.17 грн
120+472.72 грн
510+400.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3S ONN nth4l030n120m3s-d.pdf
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3S nth4l030n120m3s-d.pdf
NTH4L030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+943.84 грн
30+551.17 грн
120+472.72 грн
510+400.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L030N120M3S nth4l030n120m3s-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.