NTH4L030N120M3S onsemi
Виробник: onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 903.43 грн |
| 10+ | 584.02 грн |
| 120+ | 500.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L030N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L030N120M3S за ціною від 564.01 грн до 965.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L030N120M3S | Виробник : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NTH4L030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
| NTH4L030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||
| NTH4L030N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 193A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 52A Pulsed drain current: 193A Power dissipation: 156W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |