Продукція > ONSEMI > NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S

NTH4L032N065M3S onsemi

nth4l032n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 10700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+708.49 грн
10+473.67 грн
450+386.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L032N065M3S onsemi

Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTH4L032N065M3S за ціною від 325.92 грн до 763.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTH4L032N065M3S NTH4L032N065M3S Виробник : onsemi FE0803BF42E3BE80E87B4FF888DE2870C2CE57C05316F749485FA5081B5B75E0.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.70 грн
10+554.35 грн
120+401.70 грн
510+358.09 грн
1020+335.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3S NTH4L032N065M3S Виробник : ONSEMI nth4l032n065m3s-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+763.06 грн
5+645.47 грн
10+527.02 грн
50+446.33 грн
100+336.22 грн
250+325.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L032N065M3S Виробник : ON Semiconductor nth4l032n065m3s-d.pdf SiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.